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モバイル機器、デジタル家電を初めとしてメモリの用途は年々拡大しています。
当社は最新のメモリICをご紹介します。


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メモリ・ストレージデバイス
薄さ1.0mmのパッケージに5段まで積層させたMCP [ 東芝セミコンダクタ社 ]
東芝が開発した薄さ1.0mmのパッケージに5段積層させたMCPです。 (今年1月に発表した薄さ1.4mmのパッケージに9段までチップを積層させることができる MCPの製造技術を応用したものです。)
MCPに封入するチップは1枚あたり70μm厚さまで薄厚化し、ワイヤーの形状やボンディングピッチの 配置を工夫した多重ボンディング技術を活用しています。
携帯電話をはじめとするモバイル機器においては、小型・軽量化と急速な高機能・大容量化とが同時に求められています。
パッケージが1.4mmから1.0mmへと0.4mm薄くなることで、モバイル機器への搭載可能なエリアが拡大し、設計の自由度が大きくなります。
FCRAM™
512MbitNetWorkFCRAM™TC59LM906/914/905/913シリーズ [ 東芝セミコンダクタ社 ]
TC59LM906AMG-37は、ルーターなどネットワーク機器向け高性能メモリNetWork FCRAM™です。データの読み書き時間が最小22.5ナノ秒とSRAMにせまる高速性能を備えた上、汎用DRAMと同等の大容量を実現しているため、高速、大容量メモリの導入によるシステムの再構築などに適しています。
4ギガビットNAND型フラッシュメモリ
4GbitNAND型フラッシュメモリTC58NVG2D4BFT00 [ 東芝セミコンダクタ社 ]
本製品は、需要が急拡大している大容量メモリカード向けに、 最先端90ナノメートルプロセスの微細加工技術と多値技術を用いた業界最大容量4ギガビット NAND型フラッシュメモリです。

Contact : Shin Jae-Won , TEL:+82-2-556-5288 , e-mail : j-shin@midoriya.co.jp